内存作为电脑的三大核心配件之一其重要性不言而喻，很多用户也将改善内存性能作为提高配置整体性能一个重要手段。提到改善内存性能，大家首先想到的可能是增加内存容量、对内存进行超频，部分硬件玩家还会想到通过优化内存参数改善内存性能。不过目前大部分用户对于内存参数的定义和实际影响并不太了解，针对这一问题，笔者在本文中讲重点为大家介绍内存参数的含义，同时通过实际测试让大家了解内存参数对内存性能的影响，以及优化参数设置时的一些注意事项和技巧。 

　　目前主流主板BIOS中常见的内存参数设置选项主要有以下几种：CAS Latency Control（tCL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、Row Precharge Timing （tRP）、Min RAS Active Timing（tRAS），部分主板还提供了Command Per Clock（CMD）选项。除了上述常见参数设置外，大部分主板的BIOS中还提供了内存高级参数设置，这些参数包括：Row to Row Delay（或RAS to RAS delay，tRRD）、Row Cycle Time（tRC）、Write Recovery Time（tWR）、Write to Read Delay（tWTR）、Refresh Period（tREF）等。需要提醒大家的是，不同主板厂商、不同品牌的BIOS在参数名称上可能存在一定差异，但是对应的缩写基本都是统一的。所以大家不用可以去记下参数的详细名称，只要记住对应的缩写就可以了。

　　究竟这些参数的改变对内存的帮助有多大，而在超频的时候，究竟采用哪个参数呢？相信就是高手也不能立刻回答这些问题。为了让喜欢玩内存的朋友更加深入了解这些参数设置，我们就用评测数据来解开内存设置之谜。如果你自认是高手，那么以下的文章内容，你能不看吗？

　　经过52硬件的测试和分析，我们可以对影响DDR2内存的诸多因素进行一个简单的小结——在所有因素中，工作频率对于DDR2内存影响最为突出。用户比较关心的内存时序、CMD等参数对于内存性能也有一定影响，但与频率变化相比影响要小一些。所以，对于追求内存性能的用户而言，大家应该把提升内存频率放在首位。找到一个相对合适的超频频率后，再通过调整内存参数对内存性能进行进一步的优化。

　　具体到内存参数调节，通过此前的测试中我们可以看到调节时序参数可以在一定程度上提升内存性能，但提升幅度只有1%-2%。在实际调节过程中，大家可以先将tCL、tRCD、tRP、tRAS几大参数设定为较低的数值，如果内存出现不稳定的情况，我们再逐渐增加以上几项参数的延迟设置。考虑到tCL参数对内存性能影响较大，建议先增加tRCD、tRP、tRAS，最后再增加tCL参数延时。